Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
BSP318S E6327
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
BSP318S E6327-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT223-4
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 2.6A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Inventar:
RFQ Online
12799515
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
BSP318S E6327 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
SIPMOS®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
2.6A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 2.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 20µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
380 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1.8W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-SOT223-4
Pachet / Carcasă
TO-261-4, TO-261AA
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
BSP318S E6327-DG
Fișe tehnice
BSP318S E6327
Informații suplimentare
Alte nume
BSP318S E6327-DG
SP000011112
BSP318SE6327
BSP318SE6327T
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS non-compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STN4NF06L
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
STN4NF06L-DG
PREȚ UNIC
0.31
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
ZXMN6A11GTA
PRODUCĂTOR
Diodes Incorporated
CANTITATE DISPONIBILĂ
1669
DiGi NUMĂR DE PARTE
ZXMN6A11GTA-DG
PREȚ UNIC
0.22
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
NDT3055L
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
NDT3055L-DG
PREȚ UNIC
0.36
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
NDT3055
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
NDT3055-DG
PREȚ UNIC
0.33
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
STN3NF06
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
3898
DiGi NUMĂR DE PARTE
STN3NF06-DG
PREȚ UNIC
0.36
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
BS7067N06LS3G
MOSFET N-CH 60V 14A/20A 8TSDSON
BSC030N03MSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 21A/100A TDSON
IPA65R310CFDXKSA1
MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220
BSS7728NL6327HTSA1
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3